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  • 微納電路反應(yīng)離子蝕機RIE100 產(chǎn)品型號:RIE100
    微納電路反應(yīng)離子蝕機
詳細內(nèi)容

基本參數(shù)

1、刻蝕尺寸:4吋及以下;

2、刻蝕材料:單晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、GaN、GaAs等;

3、刻蝕速率:0.2~0.9μm/min;

4、刻蝕距離調(diào)節(jié):10mm~ 60mm

5、操作方式:半自動控制方式;

6、系統(tǒng)總控:人機界面及控制程序;

7、電源:220VAC/50Hz,9KW;

8、機器重量:600kg;

9、機器尺寸:  D810mm× W1520mm×H1550mm。

 

電源及刻蝕反應(yīng)室

1、電源:13.56MHz0.5KW;

2、反應(yīng)室:單室,上蓋啟閉,操作方便;

3、反應(yīng)室規(guī)格:Φ300110mm

4、真空度:≤2×10-4 Pa(腔體充分烘烤除氣,去濕后);

5、抽氣時間:系統(tǒng)充干燥 N2解除真空后短時暴露,大氣壓~ 5×10-3 Pa 時間≤ 30min。

 

真空測量系統(tǒng)及氣體配置

1、真空計:數(shù)顯復(fù)合真空計 1套,測量低真空和高真空;

2、供氣接口:N2、O2 CF4、CHF3、SF6以及壓縮空氣,進氣壓力 0.40.6Mpa,工藝氣體純度為:99.999

 

冷卻系統(tǒng)

1、配備冷卻水循環(huán)系統(tǒng);

2、保護系統(tǒng):對泵、電極等缺水等異常情況進行報警并執(zhí)行相應(yīng)保護。

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